CSD25485F5T
1个P沟道 耐压:20V 电流:5.3A
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描述
CSD25485F5 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、42mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称TI(德州仪器)
商品型号
CSD25485F5T商品编号
C2878960商品封装
PicoStar-3包装方式
编带
商品毛重
1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 35mΩ@900mA,8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.3V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 533pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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