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CSD22206W

1个P沟道耐压:8V 电流:5A

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描述: CSD22206W 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: CSD22206W
商品编号: C2879457
商品封装: DSBGA-9
包装方式: 编带
商品毛重: 0.032克(g)

商品参数

商品概述

CSD22206W是-8V P通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。这款 -8 V、4.7 mΩ、1.5 mm × 1.5 mm 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。

商品特性

超低电阻
小尺寸封装 1.5 mm × 1.5 mm
无铅
栅极静电放电 (ESD) 保护
符合 RoHS 环保标准
无卤素
栅-源电压钳位

应用领域

负载开关
电池管理
电池保护

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	8V
	连续漏极电流(Id)	5A
	导通电阻(RDS(on))	5.7mΩ@4.5V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	1.7W
	阈值电压(Vgs(th))	1.05V
	栅极电荷量(Qg)	14.6nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	2.275nF
	工作温度	-55℃~+150℃