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CSD23280F3
1个P沟道 耐压:12V 电流:1.8A
- 描述
- CSD23280F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、116mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD23280F3
- 商品编号
- C2878964
- 商品封装
- PicoStar-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068762克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 116mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.23nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 234pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该-12V、97mΩ P沟道FemtoFET™ MOSFET经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号MOSFET的同时大幅减小封装尺寸。
商品特性
- 低导通电阻
- 超低Qg 和 Qgd
- 高漏极工作电流
- 超小尺寸
- 0.73 mm × 0.64 mm 尺寸
- 超薄型封装
- 最大厚度为 0.36 mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- ESD保护二极管额定值 > 4 kV HBM
- ESD保护二极管额定值 > 2 kV CDM
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
应用领域
- 针对负载开关应用进行了优化
- 针对通用开关应用进行了优化
- 电池应用
- 手持式和移动类应用