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CSD86350Q5DT
半桥,电流:40A,耐压:25V
- 描述
- CSD86350Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET™电源块
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD86350Q5DT
- 商品编号
- C2878084
- 商品封装
- LSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.203克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 13W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.015nF |
商品概述
WSF45P10DN56采用先进的沟槽技术和设计，可在提供出色的RDS(ON)的同时实现低栅极电荷。它可用于各种应用。
商品特性
- 半桥功率模块
- 25A电流下系统效率达90%
- 最高可支持40A工作电流
- 高频工作能力(最高1.5MHz)
- 高密度SON 5mm×6mm封装
- 针对5V栅极驱动优化
- 低开关损耗
- 超低电感封装
- 符合RoHS标准
- 无卤
- 无铅引脚镀层
应用领域
- 同步降压转换器
- 高频应用
- 大电流、低占空比应用
- 多相同步降压转换器
- 负载点(POL)DC-DC转换器
- IMVP、VRM和VRD应用