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CSD23285F5T
1个P沟道 耐压:12V 电流:3.3A
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- 描述
- CSD23285F5 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、35mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD23285F5T
- 商品编号
- C2878959
- 商品封装
- PicoStar-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0086克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 628pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 397pF |
商品概述
该 29mΩ、-12V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
商品特性
- 低导通电阻
- 低 Qg 和 Qgd
- 超小尺寸
- 1.53mm×0.77mm
- 0.50mm 焊盘间距
- 薄型封装
- 厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 >4kV 人体放电模式 (HBM)
- 额定值 >2kV 组件充电模式 (CDM)
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
应用领域
- 工业负载开关应用
- 通用开关应用
优惠活动
购买数量
(250个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个250个/圆盘
总价金额：
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