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CSD18511KTT
1个N沟道 耐压:40V 电流:194A
- 描述
- CSD18511KTT 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD18511KTT
- 商品编号
- C2877356
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 194A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 188W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.94nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 306pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 591pF |
商品概述
这款60V、1.3mΩ、采用D²PAK（TO - 263）封装的NexFET功率MOSFET旨在最大限度地减少电源转换应用中的损耗。
商品特性
- 超低Qg和Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定
- 无铅端子镀层
- 符合RoHS标准
- 无卤素
- D²PAK塑料封装
应用领域
- 次级侧同步整流器
- 电机控制