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CSD18542KTTT引脚图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

CSD18542KTTT

60V, 3.3mΩ, N沟道MOSFET

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描述
CSD18542KTT 采用 D2PAK 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
CSD18542KTTT
商品编号
C2877343
商品封装
TO-263-3​
包装方式
编带
商品毛重
1.859克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)200A
导通电阻(RDS(on))5.1mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)250W
阈值电压(Vgs(th))2.2V
栅极电荷量(Qg)57nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)5.07nF
反向传输电容(Crss)14pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)740pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

这款 60V、3.3mΩ、D2PAK (TO-263) 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。

商品特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • D2PAK 塑料封装

应用领域

  • 直流 - 直流转换
  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制