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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

CSD18510KTT

1个N沟道 耐压:40V 电流:200A

描述
CSD18510KTT 采用 D2PAK 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
CSD18510KTT
商品编号
C2877348
商品封装
D2PAK(TO-263)​
包装方式
编带
商品毛重
1.98克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)200A
导通电阻(RDS(on))1.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)250W
阈值电压(Vgs(th))2.3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)153nC@10V
输入电容(Ciss)11.4nF
反向传输电容(Crss)551pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.08nF

商品概述

这款 40V、1.4mΩ、D2PAK (TO - 263) NexFET 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。

商品特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS
  • 无卤素
  • D2PAK 塑料封装

应用领域

  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制