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CSD18535KTTT
1个N沟道 耐压:60V 电流:200A
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- 描述
- CSD18535KTT 采用 D2PAK 封装的单路、2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD18535KTTT
- 商品编号
- C2877331
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.62nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.15nF |
商品概述
这款 60V 1.6mΩ、D2PAK(TO-263) NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。
商品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- D²PAK 塑料封装
应用领域
- 次级侧同步整流器
- 电机控制
优惠活动
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