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CSD16327Q3T
1个N沟道 耐压:25V 电流:112A
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- 描述
- CSD16327Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD16327Q3T
- 商品编号
- C2876548
- 商品封装
- VSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 112A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@3V | |
| 耗散功率(Pd) | 74W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 960pF |
商品概述
这款25V、3.4mΩ、SON 3.3mm x 3.3mm NexFET功率MOSFET旨在最大限度降低功率转换应用中的功率损耗并经优化以适用于5V栅极驱动器应用。
商品特性
- 针对5V栅极驱动器进行优化
- 超低Qg和Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合RoHS标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线(SON) 3.3mm×3.3mm塑料封装
应用领域
- 用于网络、电信和计算系统中的应用的负载点同步降压转换器已针对控制或同步FET应用进行优化
优惠活动
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