LM5166XDRCR

LM5166 是一款易于使用的紧凑型3V 至65V、超低IQ同步降压转换器，可在宽输入电压和负载电流范围内提供高效率。该器件集成有高侧和低侧功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，可提供高达500mA 的输出电流，输出电压有固定式（3.3V 或5V）和可调节式两种可供选择。该转换器设计旨在简化实现方案，同时优化目标应用的性能。脉频调制(PFM) 模式可确保在轻负载条件下获得最优效率，恒定导通时间(COT)控制可实现近似恒定的工作频率。这两种控制方案都不需要环路补偿，同时还能够针对较高的降压转换比实现出色的线路和负载瞬态响应以及短暂的脉宽调制(PWM) 导通时间。 高侧P 沟道MOSFET 能够以100% 占空比工作以确保最低压差电压，而且不需要使用自举电容器进行栅极驱动。另外，还可以调节电流限制设定值来优化电感器选择，从而满足特定的负载电流要求。可选和可调节启动时序选项包括最短延迟（无软启动）、内部固定值(900μs) 以及可使用电容器进行外部编程的软启动。可以使用开漏PGOOD 指示器进行定序、故障报告和输出电压监视。LM5166 采用引脚间距为0.5mm 的10引脚VSON 封装。

• 3V 至65V 宽输入电压范围
• 9.7μA 无负载静态电流
• -40°C 至150°C 结温范围
• 固定（3.3V、5V）或可调节输出电压选项
• 符合EN55022/CISPR 22 EMI 标准
• 集成1Ω P 沟道场效应晶体管(PFET) 降压开关，支持100% 占空比，可实现低压降
• 集成0.5Ω N 沟道场效应晶体管(NFET) 同步整流器，无需使用外部肖特基二极管
• 可编程峰值电流限制支持：500mA、300mA 或200mA 负载
• 可选PFM 或COT 模式工作
• 1.223V±1.2% 内部电压基准
• 开关频率高达600kHz
• 900μs 内部或外部可调节软启动
• 二极管仿真以及用于在轻负载时确保超高效率的脉冲跳跃模式
• 无环路补偿或自举升压组件
• 具有迟滞功能的精密使能和输入UVLO
• 开漏电源正常指示器
• 具有迟滞功能的热关断保护
• 与LM5165 引脚对引脚兼容
• 10 引脚3mm×3mm SON 封装
• 使用WEBENCH 电源设计器创建定制稳压器设计

• 工厂和楼宇自动化
• 汽车和电池供电应用
• 高电压LDO 替代产品
• 低功耗偏置电源