温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD16322Q5
1个N沟道 耐压:25V 电流:21A 97A
- 描述
- CSD16322Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、5.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD16322Q5
- 商品编号
- C2876549
- 商品封装
- VSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A；97A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.365nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
N沟道NexFET™功率MOSFET，旨在更大限度地减少功率转换应用中的损耗，并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。
商品特性
- 针对 5V 栅极驱动进行了优化
- 超低 Qq 和 Qgd
- 低热阻
- 具有雪崩能力
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- SON 5 mm × 6 mm 塑料封装
应用领域
- 网络、电信和计算系统中的负载点同步降压转换器
- 同步或控制FET应用