温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD16322Q5
1个N沟道 耐压:25V 电流:21A 97A
- 描述
- CSD16322Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、5.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD16322Q5
- 商品编号
- C2876549
- 商品封装
- VSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A；97A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@8V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.365nF@12.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 100 个)个
起订量：100 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单