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CSD17303Q5实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CSD17303Q5

1个N沟道 耐压:30V 电流:100A 电流:32A

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描述
CSD17303Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
CSD17303Q5
商品编号
C2876546
商品封装
VSON-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.14克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)32A;100A
导通电阻(RDS(on))2.4mΩ@8V,25A
属性参数值
耗散功率(Pd)3.2W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)23nC@4.5V
输入电容(Ciss)3.42nF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

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(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2500个/圆盘

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