- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD18504Q5AT
CSD18504Q5AT
- 描述
- CSD18504Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD18504Q5AT
- 商品编号
- C2866709
- 商品封装
- VSONP-8(4.9x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 耗散功率(Pd) | 77W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款5.3 mΩ、SON 5 mm × 6 mm、40V NexFET™ 功率MOSFET，旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。
商品特性
- 超低Qg和Qgd
- 低热阻
- 具有雪崩能力
- 逻辑电平
- 无铅引脚镀层
- 符合RoHS
- 无卤素
- SON 5 mm × 6 mm 塑料封装
应用领域
- 直流/直流转换
- 次级侧同步整流器
- 电池电机控制