CSD85301Q2T

描述: CSD85301Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、27mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: CSD85301Q2T
商品编号: C2865669
商品封装: WDFN-6-EP(2x2)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.042409克(g)

商品参数

商品概述

CSD85301Q2 是一款 20V、23mΩ N 沟道器件，具有两个独立的 MOSFET，并且采用 SON 2mm × 2mm 塑料封装。这两个 FET 采用半桥配置，适用于同步降压等电源应用。此外，该器件还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电应用。两个 FET 的漏源导通电阻均不高，可最大程度降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型应用。

商品特性

低导通电阻
两个独立的 MOSFET
节省空间的 SON 2 mm × 2 mm 塑料封装
针对 5V 栅极驱动器进行了优化
具有雪崩能力
无铅且无卤素
符合 RoHS

应用领域

组网、电信和计算系统应用的负载点同步降压转换器
笔记本电脑 PC 和平板电脑的适配器或 USB 输入保护
电池保护

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	5A
	导通电阻(RDS(on))	23mΩ@4.5V
	阈值电压(Vgs(th))	900mV
	栅极电荷量(Qg)	4.2nC

	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	361pF
	反向传输电容(Crss)	48pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	半桥
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	68pF
	栅极电压(Vgs)	±10V