- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD85301Q2T
CSD85301Q2T
- 描述
- CSD85301Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、27mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD85301Q2T
- 商品编号
- C2865669
- 商品封装
- WDFN-6-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042409克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 361pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 68pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |