温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD18504KCS
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CSD18504KCS 采用 TO-220 封装的单路、7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD18504KCS
- 商品编号
- C2865770
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 416pF |
商品概述
这款 25V、3.4mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET 功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率转换应用中的功率损耗并经优化以适用于 5V 栅极驱动器 应用。
商品特性
- 针对 5V 栅极驱动器进行优化
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
应用领域
- 用于网络、电信和计算系统中的应用的负载点同步降压转换器
- 已针对控制或同步 FET 应用进行优化