TLC27L4CPWR

TLC27L4和TLC27L9四运放结合了多种输入失调电压等级，具备低失调电压漂移、高输入阻抗、极低功耗和高增益的特点。 这些器件采用硅栅LinCMOS技术，其失调电压稳定性远超传统金属栅工艺。 极高的输入阻抗、低偏置电流和低功耗，使这些高性价比器件非常适合高增益、低频、低功耗应用。提供四种失调电压等级（C后缀和I后缀类型），从低成本的TLC27L4（10 mV）到高精度的TLC27L9（900 μV）。这些优势，加上良好的共模抑制和电源电压抑制能力，使这些器件不仅适用于最新的先进设计，也适用于现有设计的升级。 一般来说，LinCMOS运放具备许多与双极型技术相关的特性，却没有双极型技术的功耗问题。使用TLC27L4和TLC27L9可以轻松设计诸如传感器接口、模拟计算、放大器模块、有源滤波器和信号缓冲等通用应用。这些器件还具备低电压单电源工作和超低功耗的特点，非常适合远程和难以触及的电池供电应用。共模输入电压范围包括负电源轨。 提供多种封装选项，包括适用于高密度系统应用的小外形和芯片载体版本。 器件的输入和输出设计可承受 -100 mA的浪涌电流而不会发生闩锁。 TLC27L4和TLC27L9内置ESD保护电路，按照MIL - STD - 883C方法3015.2测试，可防止高达2000 V电压下的功能失效；然而，在处理这些器件时应小心，因为暴露于ESD可能会导致器件参数性能下降。 C后缀器件的工作温度范围为0°C至70°C。I后缀器件的工作温度范围为 - 40°C至85°C。M后缀器件的工作温度范围为 - 55°C至125°C。

• 微调失调电压：TLC27L9... 25°C、VDD = 5 V时最大900 μV
• 输入失调电压漂移... 通常为0.1 μV/月，包括前30天
• 指定温度范围内的宽电源电压范围：
  • 0°C至70°C... 3 V至16 V
  • -40°C至85°C... 4 V至16 V
  • -55°C至125°C... 4 V至16 V
• 单电源工作
• 共模输入电压范围扩展至负电源轨以下（C后缀、I后缀类型）
• 超低功耗... 25°C、VDD = 5 V时通常为195 μA
• 输出电压范围包括负电源轨
• 高输入阻抗... 典型值10^12 Ω
• ESD保护电路
• 也提供卷带封装的小外形封装选项
• 具备抗闩锁设计