TLC274CDBR

描述: TLC274 四通道、16V、2MHz、输入接近 V- 的运算放大器
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: TLC274CDBR
商品编号: C2866400
商品封装: SSOP-14-208mil
包装方式: 编带
商品毛重: 0.222克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	运算放大器
	放大器数	4
	轨到轨	-
	增益带宽积(GBW)	1.7MHz
	输入失调电压(Vos)	10mV
	输入失调电压温漂(Vos TC)	1.8uV/℃
	压摆率(SR)	3.6V/us
	输入偏置电流(Ib)	60pA

	属性	参数值
	输入失调电流(Ios)	60pA
	输入电压噪声密度(eN)	25nV/√Hz@1kHz
	共模抑制比(CMRR)	80dB
	静态电流(Iq)	-
	输出电流	-
	工作温度	0℃~+70℃
	单电源电压	3V~16V
	功能特性	ESD保护

商品概述

TLC274和TLC279是四路运算放大器，结合了多种输入失调电压等级，具备低失调电压漂移、高输入阻抗、低噪声的特性，速度接近通用BiFET器件。该产品采用硅栅LinCMOS技术，相比传统金属栅工艺能够提供更出色的失调电压稳定性。该产品兼具双极型技术的诸多特性，却不存在双极型技术的功耗问题。产品拥有极高的输入阻抗、低偏置电流和高压摆率，可适配此前仅能使用BiFET和NFET产品的应用场景。产品具备良好的共模抑制能力和电源电压抑制能力，适用于新型设计以及现有设计升级。

商品特性

经过修整的失调电压：TLC279在25℃、VDD=5V条件下最大为900μV
输入失调电压漂移典型值为0.1μV/月，包含前30天
规定温度范围内具备宽电源电压范围：0℃至70℃对应3V至16V；-40℃至85℃对应4V至16V；-55℃至125℃对应4V至16V
支持单电源工作
C后缀和I后缀版本的共模输入电压范围可延伸至负电源轨以下
低噪声，在1kHz频率下典型值为25nV/√Hz
输出电压范围包含负电源轨
高输入阻抗，典型值为10^12Ω
内置ESD保护电路
提供小外形封装可选，也可提供卷带包装
设计具备闩锁免疫能力
提供四种失调电压等级可选，范围从低成本TLC274的10mV到高精度TLC279的900μV
输入输出可承受-100mA浪涌电流而不发生闩锁
ESD保护电路可承受最高2000V电压，避免功能失效
提供多种封装选择，包含适用于高密度系统应用的小外形封装和芯片载体版本
芯片厚度典型值为15密耳，键合焊盘最小尺寸为4×4密耳，最高结温150℃，公差为±10%，所有尺寸单位为密耳，引脚11内部连接至芯片背面
可对掺杂铝键合焊盘采用热压或超声键合工艺，可使用导电环氧树脂或金硅预成型片安装芯片
最大额定参数：电源电压VDD为18V，差分输入电压VID为±VDD，输入电压范围任意输入为-0.3V至VDD，输入电流为±5mA，单路输出电流为±30mA，流入VDD总电流为45mA，流出接地端总电流为45mA，25℃及以下短路电流持续时间无限制，存储温度范围为-65℃至150℃，FK封装外壳温度可承受60秒260℃，D、N、PW封装距离外壳1.6mm处引脚可承受10秒260℃，J封装距离外壳1.6mm处引脚可承受60秒300℃
不同后缀工作环境温度范围：C后缀0℃至70℃，I后缀-40℃至85℃，M后缀-55℃至125℃

应用领域

传感器接口、模拟计算、放大模块、有源滤波器、信号缓冲设计
远程、不易维护的电池供电应用
高密度系统应用
适用于新型设计以及现有设计升级，也可适配原本使用BiFET和NFET产品的应用场景