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CSD16570Q5BT
N通道NexFET功率MOSFET，极低电阻、低Qg和Qgd、低热阻，适用于ORing和热插拔应用
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- 描述
- CSD16570Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.82mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD16570Q5BT
- 商品编号
- C2865688
- 商品封装
- SON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.392克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.49mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC | |
| 输入电容(Ciss) | 10.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 996pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.66nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |