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CSD17575Q3T
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- CSD17575Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17575Q3T
- 商品编号
- C2865030
- 商品封装
- VSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.8W；108W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.42nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CSD17575Q3 是一款 30V N 通道 NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。这款 1.9 mΩ，30 V，SON 3×3 NexFET™ 功率MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
商品特性
- 低Qg 和 Qgd
- 低RDS(on)
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合RoHS标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3 mm × 3.3 mm 塑料封装
应用领域
- 网络互联、电信和计算系统的负载点同步降压转换器
- 同步场效应晶体管 (FET) 应用