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CSD75208W1015T
2个P沟道 耐压:20V 电流:1.6A
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- 描述
- CSD75208W1015 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的双通道共源极、108mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD75208W1015T
- 商品编号
- C2865057
- 商品封装
- DSBGA-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02825克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 750mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 410pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 172pF |
商品概述
- 低热阻
商品特性
- N沟道：
- V_DD = 30 V， ID = 36 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 13 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 19 mΩ
- P沟道：
- V_DD = -30 V， ID = -25 A
- 当VGS = -10 V时，RDS(ON) < 23 mΩ
- 当VGS = -4.5 V时，RDS(ON) < 34 mΩ
- 产品无铅
- 具备高功率和大电流处理能力
- 采用表面贴装封装
应用领域
- 脉宽调制（PWM）应用
- 负载开关
- 电源管理