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CSD22205LT
1个P沟道 耐压:8V 电流:7.4A
- 描述
- CSD22205L 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD22205LT
- 商品编号
- C2865062
- 商品封装
- PicoStar-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.9mΩ@4.5V,1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 600mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.05V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.39nF@4V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(250个/圆盘，最小起订量 1000 个)个
起订量：1000 个250个/圆盘
总价金额：
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