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CSD18514Q5A
40V N沟道NexFET功率MOSFET
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- 描述
- CSD18514Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD18514Q5A
- 商品编号
- C2865508
- 商品封装
- VSONP-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.132克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 138pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF |
商品概述
CSD18514Q5A 是一款40V N沟道 NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款采用 5 mm × 6 mm SON 封装的 40 V、4.1 mΩ NexFET™ 功率MOSFET被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。
商品特性
- 低RDS(ON)
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 逻辑电平
- 无铅引脚镀层
- 符合RoHS环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5 mm × 6 mm 塑料封装
应用领域
- 直流-直流转换
- 次级侧同步整流
- 电池电机控制