CSD22204W
1个P沟道 耐压:8V 电流:5A
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描述
CSD22204W 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称TI(德州仪器)
商品型号
CSD22204W商品编号
C2865649商品封装
DSBGA-9包装方式
编带
商品毛重
1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9.9mΩ@2A,4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 950mV@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 24.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.13nF@4V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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