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CSD18512Q5B
1个N沟道 耐压:40V 电流:211A
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描述
CSD18512Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称TI(德州仪器)
商品型号
CSD18512Q5B商品编号
C2863663商品封装
VSON-8(5x6)包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 211A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.6mΩ@30A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 139W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.2V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 7.12nF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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