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CSD18512Q5B
1个N沟道 耐压:40V 电流:211A
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- 描述
- CSD18512Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD18512Q5B
- 商品编号
- C2863663
- 商品封装
- VSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 211A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 139W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 256pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 699pF |
商品概述
这款 40V、1.3mΩ、5mm x 6mm NexFET功率MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换应用中的损耗。
商品特性
- 低RDS(ON)
- 低热阻
- 雪崩级
- 逻辑电平
- 无铅端子镀层符合RoHS
- 无卤素SON 5mm x 6mm 塑料封装
应用领域
- 直流/直流转换次级侧同步整流器
- 电机控制
优惠活动
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