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CSD87502Q2T

2个N沟道耐压:30V 电流:5A

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描述: CSD87502Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: CSD87502Q2T
商品编号: C2864028
商品封装: WSON-6(2x2)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.34克(g)

商品参数

商品概述

CSD87502Q2 是一款 30V、27mΩ N 沟道器件。它具有两个独立的 MOSFET，采用 2mm × 2mm SON 塑料封装。这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置，适用于同步降压等电源应用。此外，这些 NexFET™ 功率 MOSFET 还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电应用。两个 FET 的漏源导通电阻均较低，可最大限度地降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型应用。

商品特性

低导通电阻
两个独立的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装
针对 5V 栅极驱动器而优化
雪崩级
无铅且无卤素
符合 RoHS 环保标准

应用领域

网络互联、电信和计算系统的负载点同步降压转换器
笔记本个人电脑 (PC) 和平板电脑的适配器或 USB 输入保护
电池保护

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	5A
	导通电阻(RDS(on))	32.4mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	2.3W
	阈值电压(Vgs(th))	2V
	栅极电荷量(Qg)	6nC@10V
	输入电容(Ciss)	353pF
	工作温度	-55℃~+150℃