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CSD17327Q5A
30V、N沟道功率MOSFET
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- 描述
- CSD17327Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17327Q5A
- 商品编号
- C2864353
- 商品封装
- VSONP-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.201667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.9mΩ@8V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 506pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 343pF |
商品概述
30V、N沟道NexFET™功率MOSFET，型号为CSD17327Q5A，专为最大限度地减少功率转换应用中的损耗而设计。
商品特性
- 超低Qg和Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定
- 无铅终端镀层，符合RoHS标准
- 无卤素
- SON 5毫米×6毫米塑料封装
应用领域
- 网络、电信和计算系统中的负载点同步降压
- 控制FET应用