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CSD16410Q5A

N沟道NexFET功率MOSFET

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描述
CSD16410Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、12mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
CSD16410Q5A
商品编号
C2863813
商品封装
VSON-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.11克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)25V
连续漏极电流(Id)59A
导通电阻(RDS(on))6.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)3W
阈值电压(Vgs(th))1.9V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)3.9nC@4.5V
输入电容(Ciss)740pF
反向传输电容(Crss)52pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)600pF

优惠活动

  • 6.8

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    (2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
    起订量:1 个2500个/圆盘

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