CSD18542KCS
1个N沟道 耐压:60V 电流:200A
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描述
CSD18542KCS 采用 TO-220 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称TI(德州仪器)
商品型号
CSD18542KCS商品编号
C2863868商品封装
TO-220AB-3包装方式
管装
商品毛重
1克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 200A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 44mΩ@100A,10V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 200W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 57nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 5.07nF@30V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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