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CSD17313Q2
1个N沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- CSD17313Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、32mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17313Q2
- 商品编号
- C2863837
- 商品封装
- WSON-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这是一款额定30V、导通电阻24mΩ、封装为2mm × 2mm SON的NexFET™功率MOSFET，设计用于将功率转换应用中的损耗降至最低，针对5V栅极驱动应用进行了优化。2mm × 2mm SON封装在该封装尺寸下可提供出色的热性能。
商品特性
- 针对5V栅极驱动优化
- 极低Qg与Qgd
- 低热阻
- 无铅
- 符合RoHS标准
- 无卤素
- 采用2mm × 2mm SON塑料封装
应用领域
- DC-DC转换器
- 电池与负载管理应用