TPS2835D

描述: TPS2835 具有 TTL 输入和使能功能、用于反相同步降压的 2.4A、28V 半桥栅极驱动器
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: TPS2835D
商品编号: C2863819
商品封装: SOIC-14
包装方式: 管装
商品毛重: 0.34克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	50ns
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	-
	输入低电平(VIL)	-
	静态电流(Iq)	300uA
	功能特性	使能关断；内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制

商品概述

TPS2834和TPS2835是用于同步降压功率级的MOSFET驱动器，适合搭配不集成片上MOSFET驱动器的开关控制器设计高性能电源，可向大容量电容负载输出最小2A峰值电流，高侧驱动器可配置为接地参考型或浮动自举型，内置多种附加控制功能。TPS2834为同相输入，TPS2835为反相输入，提供SOIC封装和散热增强型TSSOP PowerPAD封装，工作结温范围为-40℃至125℃。

商品特性

支持浮动自举或接地参考配置的高侧驱动器
内置自适应死区时间控制，可避免开关转换过程中主功率MOSFET产生穿通电流，提升降压调节器效率
带3.3nF负载时最大上升/下降时间为50ns
典型输出电流为2.4A
电源电压范围为4.5V~15V
所有输入控制端口均为TTL兼容
内置肖特基自举二极管，可提升驱动效率
支持同步或非同步工作模式控制
集成CROWBAR过压保护功能，可应对高侧功率MOSFET故障
静态电源电流低，典型值为3mA
高侧、低侧驱动器的源极和漏极电流额定值均为2A，均可驱动低导通电阻N沟道MOSFET
BOOT引脚对地最大可施加电压为30V
支持使能控制功能，使能端为低电平时关闭所有输出驱动器
工作结温范围为-40℃~125℃，存储温度范围为-65℃~150℃
提供SOIC和TSSOP PowerPAD封装，可提供卷带包装

应用领域

大电流单相电源
大电流多相电源
高性能开关电源设计

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	2.4A
	拉电流(IOH)	2.4A
	工作电压	4.5V~15V
	上升时间(tr)	50ns