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UCC27288DR

3A 120V 半桥栅极驱动器

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描述: 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此与模拟控制器和数字控制器均可结合使用
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: UCC27288DR
商品编号: C2866142
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.175克(g)

商品参数

商品概述

UCC27288 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27288 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此 UCC27288 与模拟控制器和数字控制器均可结合使用。两个输入完全相互独立，因此提供了额外的控制设计灵活性。输入引脚和 HS 引脚能够承受较大的负电压，因此提高了系统稳健性。输入完全相互独立。这允许控制灵活性，如果需要，两个输出可以通过重叠输入重叠。较小的传播延迟和延迟匹配规格可尽可能降低死区时间要求，从而提高系统效率。高侧和低侧驱动器级均配有欠压锁定 (UVLO) 功能，因此可在 VDD 电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。没有集成的自举二极管允许用户使用适合应用的外部自举二极管。UCC27288 采用 SOIC8 封装，可在恶劣环境下提高系统稳健性。

商品特性

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET
16ns 典型传播延迟
1800pF 负载时的上升时间为 12ns，下降时间典型值为 10ns
1ns 典型延迟匹配
可配置的外部自举二极管
8V 典型欠压锁定
输入引脚上接受的绝对最大负电压 (–5V)
HS 引脚上接受的绝对最大负电压 (-14V)
±3A 峰值输出电流
绝对最大启动电压为 120V
输入相互独立且 VDD 两个通道的欠压锁定
额定结温范围为 –40°C 至 140°C

应用领域

太阳能电源优化器
商用网络和服务器 PSU
商用通信电源整流器
直流输入 BLDC 电机驱动器
测试和测量设备

优惠活动

购买数量

(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个2500个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	3A
	拉电流(IOH)	3A
	工作电压	8V~16V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	12ns
	下降时间(tf)	10ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+140℃
	输入高电平(VIH)	1.9V~2.1V
	输入低电平(VIL)	900mV~1.1V
	静态电流(Iq)	360uA