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UCC27200QDDARQ1实物图
  • UCC27200QDDARQ1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

UCC27200QDDARQ1

UCC27200QDDARQ1

描述
具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的汽车类 3A、120V 半桥栅极驱动器 8-SO PowerPAD -40 to 125
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
UCC27200QDDARQ1
商品编号
C2867262
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.225克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)3A
属性参数值
拉电流(IOH)3A
工作电压8V~17V
上升时间(tr)8ns
下降时间(tf)7ns
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

UCC2720x-Q1系列高频N沟道MOSFET驱动器包含一个120 V自举二极管以及具有独立输入的高端和低端驱动器,以实现最大的控制灵活性。这使得该驱动器可用于半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中的N沟道MOSFET控制。低端和高端栅极驱动器可独立控制,且导通和关断之间的匹配时间为1 ns。 片上自举二极管可省去外部分立二极管。高端和低端驱动器均具备欠压锁定功能,若驱动电压低于指定阈值,将强制输出为低电平。 UCC2720x-Q1有两个版本——UCC27200-Q1具有高抗噪CMOS输入阈值,UCC27201-Q1具有与TTL兼容的阈值。 两款器件均采用8引脚SO PowerPAD (DDA)封装。

商品特性

  • 符合汽车应用要求
  • 通过AEC-Q100认证,结果如下:
    • 器件温度等级1:环境工作温度范围为-40℃至125℃
    • 器件HBM ESD分类等级2
    • 器件CDM ESD分类等级C5
  • 可驱动高端和低端配置的两个N沟道MOSFET
  • 最大自举电压:120 V
  • 最大VDD电压:20 V
  • 片上0.65 V VF、0.6 Ω RD自举二极管
  • 工作频率大于1 MHz
  • 传播延迟时间为20 ns
  • 灌电流3 A,拉电流3 A输出电流
  • 负载为1000 pF时,上升时间为8 ns,下降时间为7 ns
  • 延迟匹配为1 ns
  • 工作结温范围为-40℃至140℃

应用领域

  • 电信、数据通信和商用市场的电源
  • 半桥应用和全桥转换器
  • 隔离总线架构
  • 双开关正激转换器
  • 有源钳位正激转换器
  • 高压同步降压转换器
  • D类音频放大器