UCC27200QDDARQ1
UCC27200QDDARQ1
- 描述
- 具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的汽车类 3A、120V 半桥栅极驱动器 8-SO PowerPAD -40 to 125
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- UCC27200QDDARQ1
- 商品编号
- C2867262
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.225克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 3A | |
| 工作电压 | 8V~17V | |
| 上升时间(tr) | 8ns | |
| 下降时间(tf) | 7ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
UCC2720x-Q1系列高频N沟道MOSFET驱动器包含一个120 V自举二极管以及具有独立输入的高端和低端驱动器,以实现最大的控制灵活性。这使得该驱动器可用于半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中的N沟道MOSFET控制。低端和高端栅极驱动器可独立控制,且导通和关断之间的匹配时间为1 ns。 片上自举二极管可省去外部分立二极管。高端和低端驱动器均具备欠压锁定功能,若驱动电压低于指定阈值,将强制输出为低电平。 UCC2720x-Q1有两个版本——UCC27200-Q1具有高抗噪CMOS输入阈值,UCC27201-Q1具有与TTL兼容的阈值。 两款器件均采用8引脚SO PowerPAD (DDA)封装。
商品特性
- 符合汽车应用要求
- 通过AEC-Q100认证,结果如下:
- 器件温度等级1:环境工作温度范围为-40℃至125℃
- 器件HBM ESD分类等级2
- 器件CDM ESD分类等级C5
- 可驱动高端和低端配置的两个N沟道MOSFET
- 最大自举电压:120 V
- 最大VDD电压:20 V
- 片上0.65 V VF、0.6 Ω RD自举二极管
- 工作频率大于1 MHz
- 传播延迟时间为20 ns
- 灌电流3 A,拉电流3 A输出电流
- 负载为1000 pF时,上升时间为8 ns,下降时间为7 ns
- 延迟匹配为1 ns
- 工作结温范围为-40℃至140℃
应用领域
- 电信、数据通信和商用市场的电源
- 半桥应用和全桥转换器
- 隔离总线架构
- 双开关正激转换器
- 有源钳位正激转换器
- 高压同步降压转换器
- D类音频放大器
