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UCC27201AQDDARQ1
120V 3A峰值电流的高频高侧/低侧驱动器
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- 描述
- 具有 8V UVLO 和负电压处理能力的汽车类 3A、120V 半桥栅极驱动器 8-SO PowerPAD -40 to 125
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- UCC27201AQDDARQ1
- 商品编号
- C2869408
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.152克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 3A | |
| 拉电流(IOH) | 3A | |
| 工作电压 | 8V~17V | |
| 上升时间(tr) | 8ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 7ns | |
| 传播延迟 tpLH | 45ns | |
| 传播延迟 tpHL | 45ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+140℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.7V~2.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV~1.6V | |
| 静态电流(Iq) | 800uA |
商品概述
UCC27201A-Q1高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥式、全桥式、两开关正激式和有源箝位正激式转换器中提供N沟道MOSFET控制。低端和高端栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了至1ns的匹配。UCC27201A-Q1的HS引脚最高能够承受-18V电压，这使得其在电源噪声环境下的性能得到了改善。 由于在芯片上集成了一个自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。为高端和低端驱动器提供了欠压闭锁功能，如果驱动电压低于规定的门限，则强制输出为低电平。 UCC27201A-Q1具有TTL兼容阈值，并且采用带有散热焊盘的8引脚SOIC封装。
商品特性
- 符合汽车应用要求，具有符合AEC-Q100的下列结果：
- 器件温度等级1：-40°C至140°C的环境运行温度范围
- 器件人体模型(HBM)分类等级1C
- 器件充电器件模型(CDM)分类等级C3
- HS引脚具备-18V的负电压处理能力
- 可驱动两个采用高侧/低侧配置的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
- 最大启动电压：120V
- 最大VDD电压：20V
- 片载0.65V VF，0.6Ω RD自举二极管
- 工作频率高于1MHz
- 20ns传播延迟时间
- 3A吸收，3A供电输出电流
- 8ns上升时间和7ns下降时间（采用1000pF负载时）
- 1ns延迟匹配
- 用于高端和低端驱动器的欠压闭锁功能
- 采用8引脚PowerPad小尺寸集成电路(SOIC)-8 (DDA)封装
应用领域
- 辅助反相器功率传输电路的DC-DC转换器
- 开关模式电源
- 电机控制
- 半桥式应用和全桥式转换器
- 两开关正激式转换器
- 有源箝位正激式转换器
- 高电压同步降压型转换器
- D类音频放大器