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CSD13302W
1个N沟道 耐压:12V 电流:1.6A
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描述
CSD13302W 采用 1mm x 1mm WLP 封装的单路、17.1mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称TI(德州仪器)
商品型号
CSD13302W商品编号
C2863791商品封装
DSBGA-4包装方式
编带
商品毛重
0.0192克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 17.1mΩ@1A,4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.3V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 862pF@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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