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CSD13302W
1个N沟道 耐压:12V 电流:1.6A
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- 描述
- CSD13302W 采用 1mm x 1mm WLP 封装的单路、17.1mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD13302W
- 商品编号
- C2863791
- 商品封装
- DSBGA-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0192克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.1mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 862pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
- CSD16410Q5A
- SN75DPHY440SSRHRR
- THS6214IRHFT
- TPS7B6701QPWPRQ1
- LM2936MMX-5.0/NOPB
- LMR24210TL/NOPB
- TPS3705-50DGNR
- SN74AUP2G06DRYR
- TLV70215PDBVR
- SN74ACT373NSR
- SN74ALVCH16823DLR
- SN74F251BDR
- SN74LVCZ16240ADGGR
- LMR10510XMFE/NOPB
- LP3892EMR-1.2/NOPB
- SN74LV373ATDWR
- SN74LVC06AQDRQ1
- TPS728120150DRVT
- LM1117DT-ADJ/NOPB
- LM4128BMF-1.8/NOPB
- PTH12050WAS