CSD18502Q5BT
40V,1.8mΩ,5mm×6mm N沟道MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CSD18502Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD18502Q5BT
- 商品编号
- C2863163
- 商品封装
- VSON-CLIP-8(6x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.07nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.17nF |
商品概述
这款采用 5 mm × 6 mm SON 封装的 40 V、2.8 mΩ、NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。
商品特性
- 低 RDS(ON)
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 逻辑电平
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- SON 5 mm × 6 mm 塑料封装
应用领域
- 直流 - 直流转换
- 次级侧同步整流
- 电池电机控制