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CSD85302LT
双路N沟道MOSFET,电流:7A,耐压:20V
- 描述
- CSD85302L 采用 1.35mm x 1.35mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共漏极、24mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD85302LT
- 商品编号
- C2863316
- 商品封装
- PicostAr-4(1.3x1.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.5mΩ@6.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 933pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 79pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
这款 20V、18.7mΩ、采用 1.35mm×1.35mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装的双路 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 设计为在最小外形尺寸中最大限度地降低电阻。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置,非常适合小型手持设备中由电池供电的应用。
商品特性
- 共漏极配置
- 低导通电阻
- 1.35mm×1.35mm 小外形封装
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS 标准
- 人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 保护 > 2.5kV
应用领域
- USB Type-C/PD
- 电池管理
- 电池保护