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CSD17581Q5AT
N沟道,电流:60A,耐压:30V
- 描述
- CSD17581Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17581Q5AT
- 商品编号
- C2863162
- 商品封装
- DFN-8(4.9x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.64nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 195pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 445pF |
商品概述
这款采用 5 mm × 6 mm SON 封装的 30 V、2.9 mΩ、NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。
商品特性
- 低 Qg 和 Qgd
- 低 RDS(on)
- 低热阻抗
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5 mm × 6 mm 塑料封装
应用领域
- 用于网络互联、电信和计算系统的负载点同步降压转换器
- 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化