- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD17552Q3A
1个N沟道 耐压:30V 电流:15A 60A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- CSD17552Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17552Q3A
- 商品编号
- C2859657
- 商品封装
- VSONP-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A；60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款30V 5.5mΩ 3.3mm × 3.3mm SON NexFET™ 功率MOSFET，旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。
商品特性
- 超低Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅
- 符合RoHS标准
- 无卤素
- SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
应用领域
- 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
- 针对控制FET应用进行了优化