CSD13306WT
12V,3.5A,12VN沟道MOSFET
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- 描述
- CSD13306W 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、10.2mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD13306WT
- 商品编号
- C2861410
- 商品封装
- DSBGA-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02825克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.37nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 294pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 421pF |
商品概述
这款 8.8mΩ、12V N 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5 mmx1 mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
商品特性
- 超低导通电阻
- 低 Qg 和 Qgd
- 1mm x 1.5mm 小尺寸封装
- 低高度（高度为 0.62mm）
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护
优惠活动
购买数量
(250个/圆盘，最小起订量 1 个)个
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