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CSD19538Q3AT
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
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描述
CSD19538Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称TI(德州仪器)
商品型号
CSD19538Q3AT商品编号
C2861556商品封装
VSONP-8(3.3x3.3)包装方式
编带
商品毛重
0.4112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 59mΩ@5A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 2.8W；23W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.8V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 454pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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