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CSD17484F4
1个N沟道 耐压:30V 电流:3A
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- 描述
- CSD17484F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、128mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17484F4
- 商品编号
- C2862245
- 商品封装
- PicoStar-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.051克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.04nC@8.0V | |
| 输入电容(Ciss) | 195pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 57pF |
商品概述
这款 7.6 mΩ, 60 V TO - 220 NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
商品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 逻辑电平
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 晶体管 (TO)-220 塑料封装
应用领域
- 直流 - 直流转换
- 次级侧同步整流器
- 电机控制