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CSD18541F5
1个N沟道 耐压:60V 电流:2.2A
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描述
CSD18541F5 采用 1.5mm x 0.8mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、65mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称TI(德州仪器)
商品型号
CSD18541F5商品编号
C2862426商品封装
PicoStar-3包装方式
编带
商品毛重
0.049克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 65mΩ@1A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 777pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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