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SN74CBT3305CDR

双FET总线开关

描述: 5V总线开关，具有-2V欠压保护，支持双向数据流，低导通电阻。
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: SN74CBT3305CDR
商品编号: C2862251
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.175克(g)

商品参数

商品概述

SN74CBT3305C 是一种高速TTL兼容的FET总线开关，具有低导通电阻（r_on），可实现最小的传播延迟。该器件的A端口和B端口上具有主动下冲保护电路，通过检测下冲事件并确保开关保持在正确的关断状态，提供高达-2V的下冲保护。

SN74CBT3305C 组织为两个1位总线开关，具有单独的输出使能（1OE, 2OE）输入。它可以作为两个1位总线开关使用，也可以作为一个2位总线开关使用。当OE为高电平时，相关的1位总线开关处于导通状态，A端口连接到B端口，允许端口之间双向数据流动。当OE为低电平时，相关的1位总线开关处于关断状态，A端口和B端口之间存在高阻态。

商品特性

A和B端口的欠压保护，隔离至-2V
双向数据流，传播延迟几乎为零
低导通电阻（ron）特性（ron = 3Ω 典型值）
低输入/输出电容，最小化负载和信号失真（Cio(OFF) = 5 pF 典型值）
数据和控制输入提供欠压箝位二极管
低功耗（ICC = 3 μA 最大值）
Vcc工作范围从4 V到5.5 V
数据I/O支持0至5 V信号电平（0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V）
控制输入可以由TTL或5-V/3.3-V CMOS输出驱动
IOFF支持部分断电模式操作
锁存性能超过每JESD 78，II类100 mA
ESD性能测试符合JESD 22
- 2000-V 人体模型（A114-B，II类）
- 1000-V 充电设备模型（C101）
支持数字和模拟应用：USB接口、总线隔离、低失真信号门控

	属性	参数值
	商品目录	模拟开关/多路复用器
	开关电路	2:1
	通道数	2
	工作电压	4V~5.5V

	属性	参数值
	导通电阻(Ron)	3Ω
	工作温度	-40℃~+85℃
	导通电容(Con)	12.5pF
	传播延迟(tpd)	150ps