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CSD87353Q5D
CSD87353Q5D
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- 描述
- CSD87353Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET™电源块
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD87353Q5D
- 商品编号
- C2861635
- 商品封装
- LSON-8-EP(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.329克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1mΩ@4.5V；2.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 12W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V；1.15V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC；20nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.91nF；2.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF；43pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.32nF；1.1nF |