温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD19531KCS
100V N沟道MOSFET,电流:110A,耐压:100V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CSD19531KCS 采用 TO-220 封装的单通道、7.7mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD19531KCS
- 商品编号
- C2862209
- 商品封装
- TO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 214W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.87nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 728pF |
商品特性
- 超低Qg和Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅引脚镀层
- 符合RoHS环保标准
- 无卤素
- 晶体管 (TO)-220塑料封装
应用领域
- 次级侧同步整流器
- 热插拔电信应用
- 电机控制