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CSD17581Q3A
N沟道 耐压:30V 电流:101A
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- 描述
- CSD17581Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17581Q3A
- 商品编号
- C2861705
- 商品封装
- VSONP-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.078克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 101A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.64nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 195pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 445pF |
商品概述
这款采用 3.3mmx3.3mm SON 封装的 30V、3.2mΩ、NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。
商品特性
- 低 Qg 和 Qgd
- 低 RDS(on)
- 低热阻抗
- 雪崩级
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线(SON) 3.3mm×3.3mm 塑料封装
应用领域
- 用于网络互联、电信和计算系统的负载点同步降压转换器
- 电机控制应用
- 针对控制场效应晶体管(FET) 应用进行了优化