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UCC27201AQDMKRQ1实物图
  • UCC27201AQDMKRQ1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

UCC27201AQDMKRQ1

UCC27201AQDMKRQ1

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描述
具有 8V UVLO 和负电压处理能力的汽车类 3A、120V 半桥栅极驱动器 10-VSON -40 to 125
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
UCC27201AQDMKRQ1
商品编号
C2861728
商品封装
VSON-10(4x4)​
包装方式
编带
商品毛重
0.18克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)3A
属性参数值
拉电流(IOH)3A
工作电压8V~17V
上升时间(tr)8ns
下降时间(tf)7ns
工作温度-40℃~+140℃

商品概述

UCC27201A-Q1高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成,其中高侧/低侧驱动器配有独立输入,可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥式、全桥式、两开关正激式和有源箝位正激式转换器中提供N沟道MOSFET控制。低端和高端栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了至1ns的匹配。UCC27201A-Q1的HS引脚最高能够承受-18V电压,这使得其在电源噪声环境下的性能得到了改善。 由于在芯片上集成了一个自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。为高端和低端驱动器提供了欠压闭锁功能,如果驱动电压低于规定的门限,则强制输出为低电平。 UCC27201A-Q1具有TTL兼容阈值,并且采用带有散热焊盘的8引脚SOIC封装。

商品特性

  • 符合汽车应用要求,具有符合AEC-Q100的下列结果:
    • 器件温度等级1:-40°C至140°C的环境运行温度范围
    • 器件人体模型(HBM)分类等级1C
    • 器件充电器件模型(CDM)分类等级C3
  • HS引脚具备-18V的负电压处理能力
  • 可驱动两个采用高侧/低侧配置的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
  • 最大启动电压:120V
  • 最大VDD电压:20V
  • 片载0.65V VF,0.6Ω RD自举二极管
  • 工作频率高于1MHz
  • 20ns传播延迟时间
  • 3A吸收,3A供电输出电流
  • 8ns上升时间和7ns下降时间(采用1000pF负载时)
  • 1ns延迟匹配
  • 用于高端和低端驱动器的欠压闭锁功能
  • 采用8引脚PowerPad小尺寸集成电路(SOIC)-8 (DDA)封装

应用领域

  • 辅助反相器功率传输电路的DC-DC转换器
  • 开关模式电源
  • 电机控制
  • 半桥式应用和全桥式转换器
  • 两开关正激式转换器
  • 有源箝位正激式转换器
  • 高电压同步降压型转换器
  • D类音频放大器