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LMG1210RVRT

具有可调节死区时间的半桥MOSFET和GaNFET驱动器

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描述: LMG1210 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LMG1210RVRT
商品编号: C2862667
商品封装: WQFN-19(3x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	2.3ns
	传播延迟 tpLH	10ns
	传播延迟 tpHL	10ns
	特性	欠压保护(UVP)；过热保护(OPT)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1.7V~2.45V
	输入低电平(VIL)	700mV~1.3V
	静态电流(Iq)	300uA

商品概述

LMG1210是一款200V半桥MOSFET和氮化镓场效应晶体管(GaN FET)驱动器，专为要求超高频率、高效率的应用而开发，具有可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及3.4ns高侧/低侧匹配，以优化系统效率。此部件还具备一个内部LDO，可确保5V的栅极驱动器电压（而与电源电压无关）。

为了在各种应用中获得最佳性能，LMG1210允许设计人员选择最佳的自举二极管对高侧自举电容器充电。当低侧不导通时，内部开关会关闭自举二极管，以有效防止高侧自举过度充电，并将反向恢复电荷降至最低。GaN FET上额外的寄生电容被最小化至小于1pF，以减少额外的开关损耗。

该LMG1210具有两种控制输入模式：独立输入模式(IIM)和PWM模式。在IIM中，每个输出都由专用输入独立控制。在PWM模式下，两个补偿输出信号由单个输入产生，用户可将每个沿的死区时间从0ns调节为20ns。LMG1210可在 -40°C至125°C的宽温度范围内运行，并采用低电感WQFN封装。

商品特性

工作频率高达50MHz
10ns典型传播延迟
3.4ns高侧至低侧匹配
4ns最小脉宽
两个控制输入选项–具有可调死区时间的单个PWM输入，独立输入模式
1.5A峰值拉电流和3A峰值灌电流
外部自举二极管可实现灵活性
内部LDO可实现对电压轨的适应能力
高300V/ns CMTI
HO到LO的电容小于1pF
UVLO和过热保护
低电感WQFN封装

应用领域

高速直流/直流转换器
射频封装跟踪
D类音频放大器
E类无线充电
高精度电机控制

优惠活动

购买数量

(250个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个250个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交4单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	3A
	拉电流(IOH)	1.5A
	工作电压	6V~18V
	上升时间(tr)	500ps