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DRV8300DIPWR

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描述: DRV8300 具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: DRV8300DIPWR
商品编号: C2862908
商品封装: TSSOP-20
包装方式: 编带
商品毛重: 0.13克(g)

商品参数

商品概述

DRV8300 是一款 100V 三相半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8300D 使用集成自举二极管和外部电容为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。DRV8300N 使用外部自举二极管和外部电容为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。GVDD 用于为低侧 MOSFET 生成栅极驱动电压。栅极驱动架构支持高达 750mA 的峰值拉电流和 1.5A 的灌电流。相位引脚 SHx 能够承受显著的负电压瞬变；而高侧栅极驱动器电源 BSTx 和 GHx 能够支持更高的正电压瞬变 (125V) 绝对最大值，从而提高系统的鲁棒性。较小的传播延迟和延迟匹配参数可尽可能降低死区时间。 DRV8300 系列器件是用于三相电机驱动应用的栅极驱动器。这些器件通过集成三个独立的半桥栅极驱动器和可选的自举二极管，减少了系统组件数量，节省了 PCB 空间和成本。 DRV8300 支持外部 N 沟道高侧和低侧功率 MOSFET，可驱动 750mA 拉电流、1.5A 灌电流的峰值电流，总组合平均输出电流为 30mA。DRV8300 系列器件有 0.5mm 间距 QFN 和 0.65mm 间距 TSSOP 表面贴装封装。24 引脚封装的 QFN 尺寸为 4×4mm (0.5mm 引脚间距)，20 引脚封装的 TSSOP 本体尺寸为 6.5×4.4mm (0.65mm 引脚间距)。

商品特性

100V 三相半桥栅极驱动器
驱动 N 沟道 MOSFET (NMOS)
栅极驱动器电源 (GVDD)：5 - 20V
MOSFET 电源 (SHx) 支持高达 100V 的电压
集成自举二极管（DRV8300D 器件）
支持反相和同相 INLx 输入
自举栅极驱动架构
750mA 拉电流
1.5A 灌电流
支持由高达 15 节串联电池供电的应用
SHx 引脚具有低漏电流（小于 55µA）
绝对最大 BSTx 电压高达 125V
SHx 引脚瞬态负压可达 -22V
内置跨导保护
针对 QFN 封装型号，可通过 DT 引脚调节死区时间
针对 TSSOP 封装型号，固定插入 200ns 死区时间
支持 3.3V 和 5V 逻辑输入（绝对最大值为 20V）
4ns 典型传播延迟匹配
紧凑型 QFN 和 TSSOP 封装
具有电源块的高效系统设计
集成保护特性
BST 欠压锁定 (BSTUV)
GVDD 欠压 (GVDDUV)

应用领域

电动自行车、电动踏板车和电动汽车
风扇、泵和伺服驱动器
无刷直流 (BLDC) 电机模块和 PMSM
无线园艺和电动工具、割草机
无线真空吸尘器
无人机、机器人和遥控玩具
工业和物流机器人

优惠活动

购买数量

(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个3000个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交5单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	3
	灌电流(IOL)	1.5A
	拉电流(IOH)	750mA

	属性	参数值
	工作电压	5V~20V
	上升时间(tr)	10ns
	下降时间(tf)	5ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	800uA